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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6012FNX

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6012FNX Active TO-220FM 500 500 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-220FM
Package Size[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 12.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.39
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.39
Total gate charge Qg[nC] 35.0
Power Dissipation (PD)[W] 50.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 75
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 10-V-Motor
    · N-Kanal-Leistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Einfache Motorschaltungen möglich
    · Einfache parallele Verwendung
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors