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Nch-Leistungs-MOSFET 600 V 15 A - R6015KNZ (In Entwicklung)

R6015KNZ hat einen niedrigen Einschaltwiderstand und MOSFET mit hoher Umschaltgeschwindigkeit und Leistung.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6015KNZC8 Under Development TO-3PF 360 360 Tube Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-3PF
Package Size[mm] 26.5x15.5(t=5.5)
Applications Power Supply
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 15.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.26
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.26
Total gate charge Qg[nC] 27.5
Power Dissipation (PD)[W] 60.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 415
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on-resistance.
    • Ultra fast switching speed.
    • Parallel use is easy.
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
 
 
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ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors