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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6020ENZ

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6020ENZC8 Active TO-3PF 360 360 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-3PF
Package Size[mm] 26.5x15.5(t=5.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 20.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.17
Total gate charge Qg[nC] 60.0
Power Dissipation (PD)[W] 120.0
Drive Voltage[V] 10.0
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • ・ Low on-resistance.
    ・ Fast switching speed.
    ・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
    ・ Drive circuits can be simple.
    ・ Parallel use is easy.
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors