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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6024ENZ1

R6024ENZ1 ist ein Feld-Effekt-Transistor MOSFET, mit herausragenden Merkmalen wie Hochgeschwindigkeitsschaltungen und niedrigem Einschaltwiderstand.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6024ENZ1C9 Active TO-247 450 450 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-247
Package Size[mm] 21.1x15.9(t5.0)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 24.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.15
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.15
Total gate charge Qg[nC] 70.0
Power Dissipation (PD)[W] 120.0
Drive Voltage[V] 10.0
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • 1) Low on-resistance.
    2) Fast switching speed.
    3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.
    4) Drive circuits can be simple.
    5) Parallel use is easy.
    6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors