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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6024ENZ1

R6024ENZ1 ist ein Feld-Effekt-Transistor MOSFET, mit herausragenden Merkmalen wie Hochgeschwindigkeitsschaltungen und niedrigem Einschaltwiderstand.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6024ENZ1C9 Active TO-247 450 450 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-247
Package Size[mm] 21.07x15.94(t=5.02)
Applications Power Supply
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 24.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.15
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.15
Total gate charge Qg[nC] 70.0
Power Dissipation (PD)[W] 120.0
Drive Voltage[V] 10.0
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • 1) Low on-resistance.
    2) Fast switching speed.
    3) Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V.
    4) Drive circuits can be simple.
    5) Parallel use is easy.
    6) Pb-free lead plating; RoHS compliant.
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors