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Nch-Leistungs-MOSFET 600 V 35 A - R6035KNZ

R6035KNZ hat einen niedrigen Einschaltwiderstand und MOSFET mit hoher Umschaltgeschwindigkeit und Leistung.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6035KNZC8 Active TO-3PF 360 360 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-3PF
Package Size[mm] 26.5x15.5(t=5.5)
Applications Power Supply
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 35.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.092
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.092
Total gate charge Qg[nC] 72.0
Power Dissipation (PD)[W] 102.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 605
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on-resistance.
    • Ultra fast switching speed.
    • Parallel use is easy.
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors