Downloading...
 
product-image
 

Nch 600V 76A Power MOSFET - R6076MNZ1

R6076MNZ1 is fast trr power MOSFET, suitable for switching power supply.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6076MNZ1C9 Active TO-247 450 30 Tube Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-247
Package Size[mm] 21.07x15.94(t=5.02)
Applications Motor, Inverter
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 76.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.04
Total gate charge Qg[nC] 115.0
Power Dissipation (PD)[W] 740.0
Drive Voltage[V] 10.0
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Kurze Sperrverzögerungszeit (trr)
    · Kleiner Durchlasswiderstand
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Garantierte Gate-Source-Spannung (VGSS) von ±30 V
    · Einfache Motorschaltungen möglich
    · Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
 
 
IN VERBINDUNG STEHENDE PRODUKT
Weitere neue/aktualisierte Produkte im Zusammenhang mit Transistoren
TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
R6004JND3 Nch 600V 4A Power MOSFET TO-252   Anfrage
R6004JNJ Nch 600V 4A Power MOSFET LPTS(D2PAK)   Anfrage
R6004JNX Nch 600V 4A Power MOSFET TO-220FM   Anfrage
R6006JND3 Nch 600V 6A Power MOSFET TO-252   Anfrage
R6006JNJ Nch 600V 6A Power MOSFET LPTS(D2PAK)   Anfrage
R6006JNX Nch 600V 6A Power MOSFET TO-220FM   Anfrage
Neue Produkte:
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors