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Pch-Mittelleistungs-MOSFET -20 V -10 A - RF4C100BC

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RF4C100BCTCR Active HUML2020L8(Single) 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code DFN2020-8S
Package Size[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
Number of terminal 8
Polarity Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -20
Drain Current ID[A] -10.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V (Typ.) 0.0235
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.0154
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0235
Total gate charge Qg[nC] 23.5
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] -1.8
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • ・ Low on - resistance.
    ・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    ・ Halogen Free
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors