Downloading...
 
product-image
 

Pch-Mittelleistungs-MOSFET -20 V -10 A - RF4C100BC

FAQ 
Kaufen 
Bitte wenden Sie sich zum Kauf an uns, da keine lieferbaren Bestände vorliegen.--- Anfrage
* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RF4C100BCTCR Active HUML2020L8(Single) 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code DFN2020-8S
Package Size[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
Applications Switching
Number of terminal 8
Polarity Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -20
Drain Current ID[A] -10.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V (Typ.) 0.0235
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.0154
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0235
Total gate charge Qg[nC] 23.5
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] -1.8
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • ・ Low on - resistance.
    ・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    ・ Halogen Free
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
IN VERBINDUNG STEHENDE PRODUKT
Weitere neue/aktualisierte Produkte im Zusammenhang mit Transistoren
TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
RQ5C020TP Pch -20V -2A Small Signal MOSFET TSMT3   Anfrage
RQ5C025TP Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET TSMT3   Anfrage
RQ5C030TP Pch -20V -3A Small Signal MOSFET TSMT3   Anfrage
RV3CA01ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET VML0604   Kaufen
RF6C055BC Pch-Mittelleistungs-MOSFET -20 V -5,5 A TUMT6   Kaufen
RQ5C060BC Pch-Mittelleistungs-MOSFET -20 V -6 A TSMT3   Kaufen
Neue Produkte:
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors