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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 10 A - RF4E100AJ (New)

RF4E100AJ ist ein hochleistungsfähiges MOSFET-Paket (HUML2020L8) für Schaltungen und DC/DC-Wandler und Batterieschaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RF4E100AJTCR Active HUML2020L8(Single) 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code DFN2020-8S
Package Size[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 10.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.0133
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0133
Total gate charge Qg[nC] 13.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 2.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
    • Halogen Free
    • 100% Rg and UIS tested
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors