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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFN10NS8D

RFN10NS8D ist die Diode mit kurzer Erholzeit, mit einem niedrigen VF und einem geringen Schaltverlust und ist für die allgemeine Gleichrichtung geeignet.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RFN10NS8DTL Active TO-263S(D2PAK) 1000 1000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-263S(D2PAK)
Package(JEITA) SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Mounting Style Surface mount
Number of terminal 3
VRM[V] 800
Reverse Voltage VR[V] 800
Average Rectified Forward Current IO[A] 10.0
IFSM[A] 60.0
Forward Voltage VF(Max.)[V] 2.1
IF @ Forward Voltage [A] 5.0
Reverse Current IR(Max.)[mA] 0.01
VR @ Reverse Current [V] 800
trr(Max.)[ns] 40
IF @ trr [mA] 500
IR @ trr [A] 1.0
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Gemeinsame Kathode Dual-Typ
    • Geringer Schaltverlust
    • Niedrige Durchlassspannung
 
 
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Technische Daten
Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

For Diodes