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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFN30TS6D

RFN30TS6D ist eine Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RFN30TS6DGC11 Active TO-247 450 450 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-247
Package Size[mm] 21.0x16.0
Mounting Style Leaded type
Number of terminal 3
VRM[V] 600
Reverse Voltage VR[V] 600
Average Rectified Forward Current IO[A] 30.0
IFSM[A] 120.0
Forward Voltage VF(Max.)[V] 1.55
IF @ Forward Voltage [A] 15.0
Reverse Current IR(Max.)[mA] 0.01
VR @ Reverse Current [V] 600
trr(Max.)[ns] 55
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Niedriger Schaltverlust
    · Niedrige Durchlassspannung
    ·Hohe Stromüberlastbarkeit
 
 
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Technische Daten
Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

For Diodes