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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFN5BM6S

RFN5BM6S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RFN5BM6STL Active TO-252 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-252(DPAK)
Package(JEITA) SC-63
Package Size[mm] 6.6x10.0(t=2.2)
Mounting Style Surface mount
Number of terminal 3
VRM[V] 600
Reverse Voltage VR[V] 600
Average Rectified Forward Current IO[A] 5.0
IFSM[A] 30.0
Forward Voltage VF(Max.)[V] 1.55
IF @ Forward Voltage [A] 5.0
Reverse Current IR(Max.)[mA] 0.01
VR @ Reverse Current [V] 600
trr(Max.)[ns] 50
IF @ trr [mA] 500
IR @ trr [A] 1.0
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low switching loss
    • Low forward voltage
 
 
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Technische Daten
Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

For Diodes