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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFN6BM2D

RFN6BM2D ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RFN6BM2DTL Active TO-252 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Number of terminal 3
VRM[V] 200
Reverse Voltage VR[V] 200
Average Rectified Forward Current IO[A] 6.0
IFSM[A] 40.0
Forward Voltage VF(Max.)[V] 0.98
IF @ Forward Voltage [A] 3.0
Reverse Current IR(Max.)[mA] 0.01
VR @ Reverse Current [V] 200
trr(Max.)[ns] 25
IF @ trr [mA] 500
IR @ trr [A] 1.0
Package Size[mm] 6.6x10.0(t=2.2)
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Package Code TO-252(DPAK)
Package(JEITA) SC-63
Eigenschaften:
    • Gemeinsame Kathode Dual-Typ
    • Geringer Schaltverlust
    • Hohe Stromüberlastfähigkeit
 
 
Technische Daten
Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

For Diodes