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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFNL10TJ6S

RFNL10TJ6S ist die Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit für PFC.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RFNL10TJ6SGC9 Active TO-220ACFP 1000 1000 Tube Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code ITO-220AC
Mounting Style Leaded type
Number of terminal 2
VRM[V] 600
Reverse Voltage VR[V] 600
Average Rectified Forward Current IO[A] 10.0
IFSM[A] 120.0
Forward Voltage VF(Max.)[V] 1.25
IF @ Forward Voltage [A] 8.0
Reverse Current IR(Max.)[mA] 0.01
VR @ Reverse Current [V] 600
trr(Max.)[ns] 65
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Ultra low forward voltage
    • Low switching loss
    • High current overload capacity
 
 
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Technische Daten
Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

For Diodes