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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFU02VSM8S

RFU02VSM8S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RFU02VSM8STR Active TUMD2S 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Number of terminal 2
VRM[V] 800
Reverse Voltage VR[V] 800
Average Rectified Forward Current IO[A] 0.2
IFSM[A] 1.0
Forward Voltage VF(Max.)[V] 3.0
IF @ Forward Voltage [A] 0.2
Reverse Current IR(Max.)[mA] 0.01
VR @ Reverse Current [V] 800
trr(Max.)[ns] 35
IF @ trr [mA] 100
IR @ trr [A] 0.1
Package Size[mm] 2.5x1.4(t=0.6)
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Package Code SOD-323HE
Eigenschaften:
  • ・Klein und geformt
    ・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit
 
 
 
 
Technische Daten
Reference Circuit

DC-DC Quasi-Resonant Converter Vo=12V Io=10A

SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

DC-DC Quasi-Resonant Converter Vo=12V Io=10A

Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

For Diodes