RGT8TM65D
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 4A, eingebaute FRD, TO-220NFM, Feldstopp-Trench-IGBT
RGT8TM65D
RGT8TM65D
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 4A, eingebaute FRD, TO-220NFM, Feldstopp-Trench-IGBT
Der RGT8TM65D ist ein Fieldstop-Trench-IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für allgemeine Wechselrichter, USVs, Leistungskonditionierer und Schweißgeräte geeignet ist.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
3
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
71
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
16
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10x15 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5μs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
