RHP020N06
4 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RHP020N06T100
Status | Aktiv
Gehäuse | MPT3
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 9 Years

Spezifikationen:

Package Code

SOT-89

JEITA Package

SC-62

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

2

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.15

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.24

Total gate charge Qg[nC]

7

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.5x4 (t=1.5)

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