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Nch 40V 120A Power MOSFET - RJ1G12BGN (Neues Produkt)

RJ1G12BGN is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.

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Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RJ1G12BGNTLL Active LPT(L) 1000 1000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-263AB
Package Size[mm] 10.1x15.1(t=4.7)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 40
Drain Current ID[A] 120.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.00154
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.00138
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.00154
Total gate charge Qg[nC] 82.0
Power Dissipation (PD)[W] 178.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance
    • High power small mold package(LPTL)
    • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    • 100% UIS tested
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors