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Pch-Leistungs-MOSFET -30 V -7 A - RQ1E070RPFRA

RQ1E070RPFRA ist ein sehr zuverlässiges MOSFET für den Einsatz in Kraftfahrzeugen, das sich für den DCDC-Wandler eignet.

FAQ 
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Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ1E070RPFRATR Active TSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -30
Drain Current ID[A] -7.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.019
Total gate charge Qg[nC] 26.0
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] -4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors