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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 10 A - RQ3E100BN

RQ3E100BN ist ein Hochleistungsgehäuse (HSMT8) MOSFET für die Schaltung.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ3E100BNTB Active HSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 13.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.011
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0077
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.011
Total gate charge Qg[nC] 10.5
Power Dissipation (PD)[W] 15.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • High Power Package (HSMT8).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
    • Halogen Free
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors