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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13 A - RQ3E130BN

RQ3E130BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ3E130BNTB Active HSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Series Generation 4th Nch-MOSFET
Applications Switching, Motor
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 13.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0067
Total gate charge Qg[nC] 16.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • High Power Package (HSMT8).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
    • Halogen Free
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors