RQ3E180GN
4,5 V Antriebs-Nch-MOSFET
RQ3E180GN
4,5 V Antriebs-Nch-MOSFET
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0043
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0043
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4511
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Eigenschaften:
・ Low on - resistance.・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free
