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Nch-Leistungs-MOSFET 40 V 10 A - RQ3G100GN

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ3G100GNTB Active HSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Applications Power Supply
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 40
Drain Current ID[A] 27.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0141
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0141
Total gate charge Qg[nC] 4.3
Power Dissipation (PD)[W] 15.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Kleiner Durchlasswiderstand
    · Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8)
    · Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
    · Halogenfrei
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors