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Nch-Leistungs-MOSFET 40 V 39 A - RQ3G150GN

RQ3G150GN ist ein mittelstarkes MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltung und den DCDC-Wandler.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ3G150GNTB Active HSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Applications Power Supply
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 40
Drain Current ID[A] 39.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.0141
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0064
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0051
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0064
Total gate charge Qg[nC] 11.6
Power Dissipation (PD)[W] 20.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Kleiner Durchlasswiderstand
    · Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8)
    · Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
    · Halogenfrei
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors