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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 60 V 12 A - RQ3L050GN

RQ3L050GN ist ein kleines Anbau-MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ3L050GNTB Active HSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Applications Power Supply
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 60
Drain Current ID[A] 12.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.061
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.043
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.061
Total gate charge Qg[nC] 2.8
Power Dissipation (PD)[W] 14.8
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance
    • Small Surface Mount Package
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors