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Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 5,5 A - RQ6E055BN

RQ6E055BN ist ein kleines Anbaugehäuse MOSFET für die Schaltfunktion.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ6E055BNTCR Active TSMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-457T
JEITA Package SC-95
Package Size[mm] 2.9x2.8(t=1.0max.)
Number of terminal 6
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 5.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.03
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.019
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.03
Total gate charge Qg[nC] 4.4
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • Built-in G-S Protection Diode.
    • Small Surface Mount Package(TSMT6).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors