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Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -6 A - RQ6E060AT (New)

RQ6E060AT ist ein MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion und Lastschaltung.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RQ6E060ATTCR Active TSMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-457T
JEITA Package SC-95
Package Size[mm] 2.9x2.8(t=1.0max.)
Number of terminal 6
Polarity Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -30
Drain Current ID[A] -6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0268
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0203
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0268
Total gate charge Qg[nC] 12.9
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] -4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • High Power small mold Package (TSMT6).
    • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
    • Halogen Free.
    • 100% Rg and UIS tested.
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors