Downloading...
 
product-image
 

Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 24 A - RS1E240BN

RS1E240BN ist ein MOSFET für die Schaltfunktion mit niedrigen Durchlasswiderstand.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RS1E240BNTB Active HSOP8(Single) 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSOP8S(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Applications Switching, Motor
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 40.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0033
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0033
Total gate charge Qg[nC] 35.0
Power Dissipation (PD)[W] 30.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • ・ Low on - resistance.
    ・ High Power small mold Package (HSOP8).
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    ・ Halogen Free
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
IN VERBINDUNG STEHENDE PRODUKT
Weitere neue/aktualisierte Produkte im Zusammenhang mit Transistoren
TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
RQ6E040XN Nch 30V 4A Small Signal MOSFET TSMT6   Anfrage
RS1E301GN Nch 30V 80A Power MOSFET HSOP8(Single)   Anfrage
RS1E321GN Nch 30V 80A Power MOSFET HSOP8(Single)   Anfrage
RQ6E035TN Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET TSMT6   Anfrage
RQ6E045TN Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET TSMT6   Anfrage
RQ6E045SN Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET TSMT6   Anfrage
Neue Produkte:
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors