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Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 80 A - RS1E350GN

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RS1E350GNTB Active HSOP8(Single) 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSOP8S(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Applications Power Supply
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 80.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.00192
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.00148
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.00192
Total gate charge Qg[nC] 32.7
Power Dissipation (PD)[W] 39.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance
    • High Power Package (HSOP8)
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
    • Halogen Free
    • 100% Rg and UIS Tested
 
 
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TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors