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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 13,5 A - RS3E135BN (New)

RS3E135BN ist ein kleines Anbau-MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RS3E135BNGZETB Active SOP8 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOP8
Package Size[mm] 6.0x5.0(t=1.75)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 13.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0085
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0057
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0085
Total gate charge Qg[nC] 16.6
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • Small Surface Mount Package (SOP8)
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors