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1,5 V Antriebs-Pch-MOSFET - RT1A045AP

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RT1A045APTCR Active TSST8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TSST8
Package Size[mm] 3.0x1.9(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -12
Drain Current ID[A] -4.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.05
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.05
Total gate charge Qg[nC] 40.0
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] -1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Niederspannungsmotor (1,5 V)
    · P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors