Downloading...
 
product-image
 

1,2 V Antriebs-Nch-MOSFET - RUC002N05

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RUC002N05T116 Active SOT-23 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-23
Package Size[mm] 2.9x2.4(t=0.95)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 50
Drain Current ID[A] 0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 2.4
Power Dissipation (PD)[W] 0.2
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Niederspannungsmotor (1,2 V)
    · N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
IN VERBINDUNG STEHENDE PRODUKT
Weitere neue/aktualisierte Produkte im Zusammenhang mit Transistoren
TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
R6004JND3 Nch 600V 4A Power MOSFET TO-252   Anfrage
R6004JNJ Nch 600V 4A Power MOSFET LPTS(D2PAK)   Anfrage
R6004JNX Nch 600V 4A Power MOSFET TO-220FM   Anfrage
R6006JND3 Nch 600V 6A Power MOSFET TO-252   Anfrage
R6006JNJ Nch 600V 6A Power MOSFET LPTS(D2PAK)   Anfrage
R6006JNX Nch 600V 6A Power MOSFET TO-220FM   Anfrage
Neue Produkte:
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors