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1,2 V Antriebs-Nch-MOSFET (entspricht AEC-Q101) - RUQ050N02FRA

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

FAQ 
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Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RUQ050N02FRATR Active TSMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Code SOT-457T
JEITA Package SC-95
Package Size[mm] 2.9x2.8(t=1.0max.)
Number of terminal 6
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 5.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.) 0.04
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.) 0.032
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.027
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.04
Total gate charge Qg[nC] 12.0
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Niederspannungsmotor (1,5 V)
    · N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors