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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 20 V 10 A - RUS100N02

RUS100N02 ist ein kleines Hochleistungsgehäuse (SOP8) MOSFET für die Schaltfunktion.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RUS100N02TB Active SOP8 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOP8
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.75)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 10.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.013
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.0090
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0080
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.013
Total gate charge Qg[nC] 24.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • High Power small mold Package (SOP8)
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors