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Nicht für neue Designs empfohlen

Nch-Mittelleistungs-MOSFET 20 V 10 A - RUS100N02

 
Empfohlene Produkte
Teilenummer Datenblatt Gehäuse Pin kompatibel
RQ1C075UN TSMT8 -
 
 
Spezifikationen:
Teilenummer RUS100N02TB
Status NRND
Gehäuse SOP8
Einheitenmenge 2500
Minimale Gehäusemenge 2500
Gehäusetyp Taping
Liste der enthaltenen Materialien Anfrage
RoHS Ja
Grade Standard
Package Code SOP8
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.75)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 10.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.013
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.0090
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0080
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.013
Total gate charge Qg[nC] 24.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors