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20 V 1 A Nch Leistungs-MOSFET - RV2C010UN

Das Ultra-Kleingehäuse (1006-Größe) RV2C010UN ist geeignet für tragbare Geräte.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RV2C010UNT2L Active VML1006 8000 8000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code DFN1006-3
JEITA Package SC-101
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 1.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 0.7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.54
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.7
Power Dissipation (PD)[W] 0.4
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Kleiner Durchlasswiderstand
    · Hochleistungs-Small-Mold-Gehäuse (VML1006)
    · Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
    · Halogenfrei
    · ESD-Schutz bis 200 V (MM),
      bis 2 kV(HBM)
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors