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Nch-MOSFET 20 V 150 mA für kleine Signale - RV3C002UN (Under Development)

Das Ultra-Kleingehäuse RV3C002UN ist für tragbare Geräte geeignet.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
RV3C002UNT2CL Under Development VML0604 8000 8000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code DFN0604-3
Package Size[mm] 0.6x0.4(t=0.36)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 0.15
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 2.7
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 1.4
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 2.7
Power Dissipation (PD)[W] 0.1
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Ultrakleines Gehäuse (0,6 × 0,4 × 0,36 mm)
    · Ideales Gerät für tragbare Systeme dank Niederspannungsmotor
    · Einfache Motorschaltungen möglich
    ·Integrierte ESD-Schutzdiode
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors