Letztmalig zu kaufen
SCT2H12NY
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET
SCT2H12NY
Letztmalig zu kaufen
SCT2H12NY
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET
Die Einstellung von Produkten (EOL) wurde angekündigt.
Produktdetails
Teilenummer | SCT2H12NYTB
Status |
Letztmalig zu kaufen
Gehäuse |
TO-268-2L
Einheitenmenge | 800
Minimale Gehäusemenge | 800
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
1150
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
4
Total Power Dissipation[W]
44
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.95x18.9 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Long creepage distance with no center lead
- Simple to drive
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
