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4 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET - SH8K11

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
SH8K11GZETB Active SOP8 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOP8
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.75)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.09
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.1
Total gate charge Qg[nC] 1.9
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · N-Kanal+N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors