SH8M24
4 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET
SH8M24
SH8M24
4 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET
Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
45
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.046
Total gate charge Qg[nC]
6.8
Power Dissipation (PD)[W]
3.1
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
5x6 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
