Downloading...

4 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET (entspricht AEC-Q101) - SP8K33FRA

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
SP8K33FRATB Active SOP8 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Code SOP8
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.75)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 60
Drain Current ID[A] 5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.055
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.034
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.055
Total gate charge Qg[nC] 8.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · N-Kanal+N-Kanal-Leistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Einfache Motorschaltungen möglich
    · Einfache parallele Verwendung
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors