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30V Nch+Pch Small Signal MOSFET - TT8M11

Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
TT8M11TCR Active TSST8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TSST8
Package Size[mm] 3.0x1.9(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 3.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.078
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.067
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.051
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.078
Total gate charge Qg[nC] 2.5
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors