1,5 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET - TT8U1

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.

Teilenummer	Status	Gehäuse	Einheitenmenge	Minimale Gehäusemenge	Gehäusetyp	RoHS
TT8U1TR	Active	TSST8	3000	3000	Taping	Ja

Spezifikationen:

Grade	Standard
Package Code	TSST8
Package Size[mm]	3.0x1.9(t=0.8)
Applications	Power Supply
Number of terminal	8
Polarity	Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]	-20
Drain Current ID[A]	-2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)	0.18
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)	0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)	0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.18
Total gate charge Qg[nC]	6.7
Power Dissipation (PD)[W]	1.0
Drive Voltage[V]	-1.5
Reverse voltage VR (Diode) [V]	20.0
Forward Current IF (Diode) [A]	1.0
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]	3.0
Mounting Style	Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150

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Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform

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Anwendungen:

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Pin-Konfigurierung:

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