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2,5 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET (entspricht AEC-Q101) - UM6K31NFHA

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
UM6K31NFHATCN Active UMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Code SOT-363
JEITA Package SC-88
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.9)
Number of terminal 6
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 60
Drain Current ID[A] 0.25
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 3.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 2.3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 2.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 1.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 3.0
Power Dissipation (PD)[W] 0.15
Drive Voltage[V] 2.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 2,5-V-Motor
    · N-Kanal+N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors