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PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Digitaltransistor - UMF5N

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
UMF5NTR Active UMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-363
JEITA Package SC-88
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.9)
Number of terminal 6
Polarity BIP_PNP+DTR_NPN
Supply voltage VCC 1[V] 50.0
Collector current IC 1[A] 0.1
Input resistance R1 1[kΩ] 47.0
Emitter base Resistance R2 1[kΩ] 47.0
hFE 68 to
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] -12.0
Collector current(continuous) IC1[A] -0.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
    · Integrierte Vorspannungswiderstände
    · Für die Energieverwaltung
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors