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PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Digitaltransistor - UMF5N

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
UMF5NTR Active UMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-363
JEITA Package SC-88
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.9)
Number of terminal 6
Polarity BIP_PNP+DTR_NPN
Supply voltage VCC 1[V] 50.0
Collector current IC 1[A] 0.1
Input resistance R1 1[kΩ] 47.0
Emitter base Resistance R2 1[kΩ] 47.0
hFE 68 to
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] -12.0
Collector current(continuous) IC1[A] -0.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
    · Integrierte Vorspannungswiderstände
    · Für die Energieverwaltung
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors