Downloading...
 
product-image
 

PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode - UML4N

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
UML4NTR Active UMT5 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-353
JEITA Package SC-88A
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.9)
Number of terminal 5
Polarity PNP+Di
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] -12.0
Collector current(continuous) IC1[A] -0.5
Collector Power dissipation PC[W] 0.12
hFE 270 to 680
hFE (Min.) 270
hFE (Max.) 680
Reverse voltage VR (Diode) [V] 30.0
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 1.0
Mounting Style Surface mount
Equivalent (Single Part) 2SA2018 / RB521S-30
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Eigenschaften:
  • · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
    · Für DC/DC-Wandler
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors