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4 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET - US5U35

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
US5U35TR Active TUMT5 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-353T
JEITA Package SC-113CA
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
Number of terminal 5
Polarity Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V] -45
Drain Current ID[A] -0.7
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 1.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.9
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 1.0
Total gate charge Qg[nC] 1.7
Power Dissipation (PD)[W] 0.7
Drive Voltage[V] -4.0
Reverse voltage VR (Diode) [V] 40.0
Forward Current IF (Diode) [A] 0.1
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 1.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors