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PNP-Transistor niedriges VCE(sat) - US6T4

Verschiedene Produkte werden in Produktreihen angeboten mit dem Fokus auf Aspekten wie Energieeinsparung und Zuverlässigkeit als die wesentlichen Konzepte, wobei die Gehäuse von ultrakompakten Typen bis zu Leistungstypen reichen, um die Anforderungen des Marktes zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
US6T4TR Active TUMT6 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-363T
JEITA Package SC-113DA
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.85max.)
Number of terminal 6
Polarity PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] -12.0
Collector current(continuous) IC1[A] -3.0
Collector Power dissipation PC[W] 0.4
hFE 270 to 680
hFE (Min.) 270
hFE (Max.) 680
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Niedrige VCE(sat)
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors