Merkmale des SiC-Moduls

Power-Module, die größere Ströme handhaben, sind normalerweise vom Typ IGBT, die Si IGBT und FRDs kombinieren. ROHM bietet seit Kurzem jedoch auch industrieführende Module an, die SiC MOSFETs mit SiC SBDs integrieren, welche den Schaltverlust, der vom IGBT-Tailstrom erzeugt wird, sowie den FRD-Erholungsverlust minimieren, was zu folgenden Ergebnissen führt:

1. Verbesserte Effizienz der Energieversorgung bei einfacheren Kühlmaßnahmen
   (Bspw.: Kleinere Kühlkörper, natürliche Kühlkonstruktionen, die künstliche Belüftung/Wasser verwenden)
2. Kleinere periphere Komponenten aufgrund des Betriebs mit höheren Frequenzen
   (Bspw. Kleinere Reaktoren und Kondensatoren)

Infolgedessen wurden SiC-Energielösungen zunehmend in der Energieversorgung für industrielle Anlagen, Leistungskonditionierer in der Solarbranche und weitere umgesetzt.

Struktur des Schaltkreises

Die aktuell verfügbaren SiC-Module umfassen 2-in-1-Typen, die es ermöglichen, Halbbrückenschaltungen mit einem einfachen Modul zu konfigurieren.
Neben einem SiC MOSFET + SiC SBD-Typ bietet ROHM auch ein reines SiC MOSFET-Modell, das es ermöglicht, die ideale Lösung basierend auf eingestellten Bedürfnissen auszuwählen.

SiC-Power-Module-Schaltpläne (Halbbrückenschaltung)

SiC-MOSFET + SiC-SBD

SiC-MOSFET