Einzigartige Doppelzellenstruktur sorgt für ein ausfallsicheres Datenspeicherungsverfahren mit bislang unerreichter Zuverlässigkeit. Gleichzeitig verhindert eine doppelte Reset-Funktion fehlerhafte Datenspeicherungen.

Charakteristisch ist der zuverlässige Betrieb über einen großen Temperaturbereich (-40 º bis +125 º), ±1 % Detektionsgenauigkeit sowie die hohe Rauschbeständigkeit.

Standard CMOS Spannungsdetektor ICs,

CMOS Spannungsdetektor ICs mit frei einstellbarer Verzögerungszeit ,

CMOS Spannungsdetektor ICs mit eingebautem Zähler Timer,

Niederspannungs- Standard CMOS Spannungsdetektor ICs,

Niederspannungs-CMOS
Spannungsdetektor ICs mit frei einstellbarer Verzögerungszeit

Neue Niederspannungsantriebsprozesse ermöglichen den Betrieb bei VGS=0.9 V, was den Energieverbrauch erheblich reduziert.

RYB002N05(N), RYM002N05(N), RE1J002YN(N),
RYE002N05(N), RU1J002N05(N), RYU002N05(N),
RYC002N05(N)

"(N)" in der Teilenummer steht für den N-Kanal-Typ

Eingesetzt wird ein einzelnes Widerstandselement, das eine Nennleistung von 2 W bei der 6432 (2515) Größe aufweist und ideal für die Detektion von großen Strömen ist. Zusätzlich verringert die randlose Auslegung die Induktivität bei gleichzeitiger Erhöhung der Detektionsgenauigkeit.

PMR100

Eine breite Palette wird angeboten, einschließlich Modellen mit eingebauten FET, Aufwärts-/Abwärtsschaltreglern,
und externen FET Controllern für große Ströme.

MOSFETs mit geringem Einschaltwiderstand und mehreren Schutzschaltkreisen auf einem einzigen Chip machen den Betrieb verlustarm und hocheffizient und die Systeme sicherer
und stabiler.

Die Miniaturisierung von Komponenten verbessert die Stromeffizienz bei reduzierter Durchlassspannung und trägt so zur Verbesserung der eingestellten Effizienz und einer größeren Miniaturisierung bei.