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Die kompakten Schottky-Dioden mit der branchenweit niedrigsten Durchlassspannung (VF
) und einer hohen Strombelastbarkeit in einer kleinen Gehäuseform, die sich ideal für Smartphones und sonstige mobile Geräte eignen
ROHM hat kürzlich die Entwicklung der RBE-Serie kompakter Schottky-Dioden bekannt gegeben. Diese zeichnen sich durch die niedrigste Durchlassspannung der Branche aus und eignen sich somit ideal für mobile Anwendungen, die höhere Platzeinsparungen erfordern, wie z. B. Smartphones. Sie sind in zahlreichen Gehäusen erhältlich. Dazu gehört auch das ultrakompakte VML2-Gehäuse mit einer Größe von nur 1,0 x 0,6 mm für Anwendungen mit hoher Dichte.
Derzeit entwickelt sich eine zunehmende Tendenz zu mehr Funktionalität und Weiterentwicklung in Smartphones und sonstigen mobilen Geräten. Gleichzeitig wird die Größe verringert und die Batterielebensdauer bleibt erhalten bzw. wird verlängert. All dies hat zu einer größeren Nachfrage nach ultrakompakten Komponenten geführt, welche den Stromverbrauch auf ein Minimum reduzieren. Dazu gehören insbesondere Schottky-Dioden, die in Netzteilen zum Einsatz kommen, bei denen eine niedrige Durchlassspannung sowie ein hoher gemittelter Richtstrom erforderlich sind. Bislang musste jedoch zur Reduzierung der Durchlassspannung und Verbesserung der Strombelastbarkeit die Chipgröße verringert werden, wodurch sich eine Miniaturisierung als schwierig erwies.
Folglich hat ROHM das Diodenelement neu konstruiert und dabei die Durchlassspannung um 32 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten reduziert. Somit konnte die Stromeffizienz erheblich verbessert werden. Dadurch wird weniger Wärme erzeugt und die Nennstromstärke wird erhöht, sodass kleinere Gehäuse eingesetzt werden können, welche die Montagefläche um bis zu 80 % reduzieren können.
Hauptmerkmal
1. Bessere Stromeffizienz in einem kompakten Gehäuse
Die branchenweit niedrigste Durchlassspannung sorgt für eine hohe Strombelastbarkeit in einer kompakten Gehäuseform.
| Gehäuse (Größe) | RBE-Serie | Herkömmlich |
|---|---|---|
| VML2 (1006) |
 |
0,2A |
| EMD2 (1608) |
|
0,2A |
| UMD2 (2512) |
 |
0,5A |
| TUMD2 (2513) |
 |
1,5A |
| *Vergleich bei VR=20 V | ||
2. Um bis zu 80 % niedrigere Montagefläche
Dank der höheren Nennstromstärke lassen sich kleinere Gehäuse einsetzen, wodurch die Montagefläche erheblich reduziert wird.
Anwendungsschaltbild: Schaltkreis in einem Smartphone
Technische Daten
| (Ta=25 °C) | |||||||||
| Gehäuse | Teilenr. | Absolute Grenzdaten | Elektrische Kenndaten | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Vr (V) | Io (A) | Vf (V) |
|
Ir (mA) |
|
||||
| VML2 | RBE05AS20A | 20 | 0,5 | 0,53 |
|
0,15 |
|
||
| EMD2 | RBE05SM20A | 20 | 0,5 | 0,53 |
|
0,15 |
|
||
| UMD2 | RBE05VM20A | 20 | 0,5 | 0,43 |
|
0,2 |
|
||
| RBE07V20A | 20 | 0,7 | 0,43 |
|
0,2 |
|
|||
| TUMD5 | RBE1KA20A | 20 | 1* | 0,43 |
|
0,2 |
|
||
| TUMD2 | RBE1VA20A | 20 | 1 | 0,53 |
|
0,2 |
|
||
| RBE2VA20A | 20 | 2 | 0,46 |
|
0,7 |
|
|||
| TSMD5 | RBE2EA20A | 20 | 2* | 0,39 |
|
0,7 |
|
||
| *1/2 lo pro Element | |||||||||
-
VF (Durchlassspannung)
Hierbei handelt es sich um die anliegende Spannung, wenn Strom in Vorwärtsrichtung durch die Diode fließt. Je niedriger der Wert ist, umso geringer ist der Stromverbrauch. -
Gemittelter Richtstrom (Io)
Der maximale Richtstrom, der in Vorwärtsrichtung unter den festgelegten Bedingungen fließen kann.