Neue ‚Anti-Sulfuration‘-Chipwiderstände eignen sich ideal für Automotive- und Industrie-Anwendungen

Die sulfurierungshemmenden Eigenschaften verbessern die
Langzeit-Zuverlassigkeit der Bauelemente

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Willich-Munchheide, 4. August 2016 - ROHM hat jungst die Verfugbarkeit neuer sulfurierungshemmender Chipwiderstande angekundigt. Die Bauelemente sind fur Anwendungen in schwefelreichen Umgebungen optimiert, wie etwa in der Kommunikations-Infrastruktur, in Automotive-Systemen und in industriellen Anlagen.

Schwefelpartikel sind beispielsweise durch Kraftfahrzeug-Abgase allgemein in der Umgebung vorhanden. Sie konnen von der Silberbeschichtung der Elektroden elektronischer Bauelemente, so zum Beispiel von den inneren und seitlichen Elektroden konventioneller Chipwiderstande, adsorbiert werden. Dies kann langfristig zu Silbermigration und zur Bildung von Silbersulfid fuhren, was neben einer Veranderung der Widerstandswerte letztendlich auch einen Ausfall der jeweiligen Applikation verursachen kann.

In den letzten Jahren ist auf den verschiedensten Anwendungsgebieten die Nachfrage nach vermehrter Sulfurierungsbestandigkeit gewachsen. ROHM hat deshalb eine spezielle Elektrodenstruktur mit einem schutzenden Material entwickelt, wodurch sich die sulfurierungshemmenden Eigenschaften entscheidend verbessert haben. Auf diese Weise wird ein Beitrag zur Verbesserung der Sicherheit und Langzeit-Zuverlassigkeit geleistet.

Part No. Size Rated
Power
(70°C)
(W)		 Max
Element
Voltage
(V)		 Temp.
Coefficient
of Resistance
(ppm /°C)		 Resistance
Tolerance
(%)		 Resitance
Range		 Series Operating
Temp
(°C)		 Automotive
Grade
(AEC-Q200)
(mm) (inch)
SFR01 1005 0402 0,063 50 +500 / -250 J (±5%) 1Ω ～ 9,1Ω E24 -55 ～ +155 Yes
±200 10Ω ～ 10MΩ
±100 F (±1%) 10Ω ～ 2,2MΩ E24, 96
(Jumper Type) Conduction Resistance : 50mΩ
Max., Rated Current : 1A
SFR03 1608 0603 0,1 50 ±400 J (±5%) 1Ω ～ 9,1Ω E24
±200 10Ω ～ 10MΩ
±100 F (±1%) 10Ω ～ 10MΩ E24, 96
(Jumper Type) Conduction Resistance : 50mΩ
Max., Rated Current : 1A